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啸叫一般是由于PWM Dimming时，陶瓷电容的压电效应导致，可以尝试调整PWM调光的频率，尝试更换陶瓷电容等方法改善。

开关电源输出电容的选择，严格来说需要考虑的因素诸多，如耐压，温度，容量，封装，寿命，纹波因子等。一般电解电容电压derating 80%，其他类型电容50%。具体容量的话，需要根据纹波要求，反推纹波电流结合ESR求得最小容量。需要快速确定的话一般经验是1000uF/A. 另外考虑ESR特性，最好电解电容和陶瓷电容结合使用，纹波特性更好。

建议采用迟滞控制模式驱动器，因为其PWM调光响应时间比电流模式驱动器快得多。对于迟滞模式控制的LED驱动器，当PWM输入变为高电平时，上管FET将立即导通，并保持导通状态直到电感峰值电流达到上限为止。而电流模式驱动器需要几个时钟周期才能使LED电流开始调节

1. 测量值

根据效率的计算公式可知

η=PINPOUT=Vin∗IinVout∗Iout

在测效率时，需要测得Vin、Vout、Iin、Iout这四个值（或者Pout和Pin），进行计算，即可得到最终结果。

2. 四表法

最常见的效率测量方式是四表法，即用四个万用表来测得以上四各参数。常见的万用表都是同时具有电流档和电压档的。

3. 测试步骤

以简单的BUCK电路为例，效率测试的步骤大致如下：

（1 确定需要测试的条件：输入输出电压以及输出电流。在轻载电流部分，需要多取几个点；重载部分，取点间隔可以稍大。例如，Iout=0-6A，测试点可取：0A, 0.1A, 0.3A, 0.5A, 0.8A, 1A, 1.5A, 2A, 2.5A, 3A, 3.5A, 4A, 4.5A, 5A, 5.5A, 6A。

（2 确认测试板在测试条件下工作正常，输入输出电压正确，观察SW波形，在轻载和重载时SW波形都正常，无啸叫和异常发热。

（3 断电，按照上述示意图，将四个万用表接入电路，电流表置于安培档位。连接完成后，重新上电。

（4 上电后，即可按照测试条件，慢慢调整负载电流，需要等万用表上数值稳定后，再记录测试数据。输入电压可能会随着负载电流的上升有所下降，低于测试条件。此时，需要适当抬高输入电压，尽量保持测试输入电压的万用表上的数据与测试条件一致。

4. 报告形式

PADS文件转Altium Designer文件

1，首先利用PADS软件打开PADS文件，它是.pcb文件结尾的文件。

2，选择导出，文件选择为asc文件，得到最终的asc文件

3，在Altium Designer软件的文件菜单栏选择“导入向导”

4，从列出的选项中选择导入asc文件（asc格式文件是由PADS Layout软件创造的）

5，因为PADS覆铜和Altium Designer覆铜有区别，所以需要在Altium Designer中进行重新填充所有的多边形。

Altium Designer文件转PADS文件

这里需要用到一个PADS的小工具，也就是PADS Layout Translate

1，打开PADS Layout Translate软件

2，软件界面下，点击Add添加，然后选择需要进行转换的Altium Designer文件

3，最后点击Translate进行转换，生成PADS文件

单片机（single-chip Microcomputer），是一种集成电路芯片，是采用超大规模集成电路的技术，通常会包含中央处理器CPU，随机存储器RAM，只读存储器ROM，多种I/O口和中断系统等等功能。

它的最小系统必须包含的有这些：单片机，晶振电路，复位电路。可以用这些最少的元件组成可以正常工作的系统。

单片机：

就是主控器件，是中央处理器，负责管理整个系统的工作，通常会有很多引脚，包括Reset信号，数据传输引脚等I/O引脚，GND，定时器/计数器等等。

复位电路：

就好比电脑的重启部分，当程序在使用过程中出现死机，就可以利用复位电路实现重启，重新运行系统，系统重头开始执行。通常与RST引脚相连。

复位电路通常会与单片机中的”看门狗“共同作用，当看门狗监测到程序主体运行不正常，就会发信号让单片机的主体程序复位，进而起到保护系统主体的作用。

晶振电路：

一般可以产生特定频率的时钟信号，是一些信号传输的CLK信号，可以作为时间参考值来保证数据的正常传输，系统的正常运行。通常晶振应用在电路系统中，有利于电路各部分保持同步，如果没有晶振，部分微处理器芯片将不能正常工作。晶振电路也有分外部和内部，单片机内部自带了晶振就是内部晶振，外接的晶振就是外部晶振。

除此之外，如果严格意义上来说，对于最小的单片机系统，还需要包含一个东西，就是供电的电源，没有电源的话，单片机也不可能正常工作，所以电源也可以算做单片机最小系统工作中的一个组成部分。

门电路是一种逻辑关系电路，用来实现基本的逻辑运算和符合逻辑元素的单元电路。所以像平时听见的与门，或门，非门，与非门，异或门都是门电路。

门电路在作用时，必要要有输入信号，只有满足门电路的某个逻辑关系时，才会有信号输出。并且输入端可以有一个或多个，但是输出端只有一个。

在逻辑关系上，它只有有和无的状态，用“1”和“0”来表示，也称为高电平和低电平。

之所以叫“门”电路，关键点在于这个门，因为门通常关联的意思有打开门和关闭门，所以当某个逻辑关系电路有信号输出时，门相当于打开，没有信号输出时，门相当于关闭，叫“门电路”可以很形象的概括其特点。

基本逻辑关系：与逻辑，或逻辑，非逻辑（与门，或门，非门）。

也就是与，或，非，包括所有复杂的逻辑关系也都是由三个基本逻辑关系组成，只不过组成成分，方式更加多样。

在电压转换电路中，LDO和DC-DC电路是最常用的两种方式，本篇主要介绍LDO相关内容。

LDO是线性电源的一种，它可以实现电源电压的转换，不过主要用在降压领域。它的全称是Low Dropout Regulaor，就是低压差线性稳压器，这个低压差就表示它的输入输出电势差不会太大，所以叫低压差。

在理解上可以看作LDO=低压差+线性+稳压器。

对于LDO电路，相对与DCDC电路，它具备成本低，噪音低，静态电流小等优点，并且在实际运用中，它需要的外接元件也更少，通常仅仅需要一两个旁路电容就可以了。

LDO内部有四个部分组成：分别是基准参考电压，误差放大器，分压抽取电路和晶体管调整电路。

基准参考电压：就是正向输入端的电压，也是LDO的输入电压，也称基准电压。

误差放大器：将采集到的电压输入到比较器反向输入端，与正向输入端的基准电压进行比较，再将比较结果放大，如果反向输入端电压增大，则会导致运放的输出端减小。

分压抽取电路：就是电路图中的R1，R2，通过它们对输出电压进行采集

晶体管调整电路：运放放大后的信号会输送到晶体管的基极，从而放大后的信号可以控制晶体管的导通电压，形成一个负反馈调节回路。

您好，PGND和AGND单点连接的主要目的是避免PGND中的噪声干扰AGND，所以应该避免可能会流过大电流的PGND区域直接经过AGND的区域在保证这一点的基础上，可以选一个较近的位置连接起来。

1.SW下方的GND可以屏蔽SW的噪声，避免影响其它层的信号。所以，如果将SW下面的GND挖空，其它层的信号也要避开

2.SW的过孔主要导致噪声耦合到内部信号走线

当在电感底部铺铜时，电感或者其他高频回路产生的磁场会在铺铜处产生涡流，涡流的作用会使得原磁力线被削弱，这就像电磁屏蔽罩一般，可以“阻断”磁场向下传播，减小高频磁场对空间内其他元器件的影响，从而有利于EMI的测试。如果我们将EMI滤波元件及接插件于背面放置，则能进一步优化EMI的性能。

我们建议在EMI 测试中对电感铺铜，因为它可以改善 EMI 性能。从电感感量的角度，对于屏蔽型电感，电感感量基本没有影响，因此也建议铺铜；仅对于工字型电感，铺铜对电感感量有少许影响，工程师可以视情况而定。

关于DCDC输出电容的位置摆放通常认为较大容值的电容要靠近DCDC芯片摆放会更合理。

原因有两点：1.环路稳定性 2.负载去耦

从环路稳定性的角度来说：输出电容是整个反馈环路的一部分，输出电容不能过大，也不能过小，如果输出电容网络的阻抗低于极限值，瞬态响应将出现阻尼不足，系统可能变得不稳定。容值较小的陶瓷电容对系统而言远远超出了反馈环路的带宽。因此容值较小的陶瓷电容对DCDC的反馈控制环路的影响很小，将大容值的陶瓷电容放置在更靠近DCDC的位置会更好。

从负载去耦的角度来说：为了保持稳压器与负载之间的低阻抗，必须将高频低容值陶瓷电容放置在非常靠近负载的位置，以最大限度地减少走线电感的影响，而将大容值的陶瓷电容放置在更靠近DCDC的位置。

一般是有效值，您也可以查看一下FLUKE的说明书。对于直流量来说，有效值就是平均值。

如果您一直在我们这边有订货，应该不会停产的，最新的替代料产品可以随时咨询我们，谢谢

TDC和TDP分别是“ Thermal Design Current”热设计电流和“ Thermal Design Power”热设计功耗的缩写。
热设计电流是负载可以无限期汲取的持续（直流等效）电流，它定义了用于稳压器温度计算的电流。热设计功耗本质上与热设计电流相同，只是用功率（IV）或（I^2R）代替了电流，因为热量的产生源于功耗。

以下为开关变换器的一些布局建议：
i. 根据您的拓扑确定“热循环”，并优先安排那些不连续切换电流的组件位置。
ii. SW节点应根据需要从IC引脚到电感器进行大面积敷铜，但不要太大，因为它们会因高开关动作而产生大量噪声，而且SW节点中不应有任何过孔。
iii. 反馈器件和走线应远离噪声区域（SW、Vin、I2C CLK/DATA线路等），并且必须将其布线在稳定的参考平面旁边。
iv. AGND / PGND引脚应通过通孔连接，因为PGND连接的是承载大电流并产生大量交流噪声的功率FET。AGND是模拟地，必须尽可能“安静”。通孔连接有助于通过通孔电感隔离PGND交流噪声，同时保持直流电势。
v. 避免在不完整的参考平面上走敏感信号或开关信号，因为这可能导致信号中感应到噪声，并或把噪声耦合到其他敏感信号中。
vi. 由于PCB实心铜层才是最主要的散热方式，因此在Vin和PGND引脚附近的散热孔数量要尽可能多，并尽可能靠近芯片放置。

vii. 另请参考数据手册最后的IC布局指南。

您可以在技术文档区域下载相关规格书，也可以在产品详情页查看 Datasheet 下载入口。